Ce que mes mesures montrent
Une réflexion sur les composants qu'on trouve sur AliExpress, à partir de deux cas concrets où j'ai reçu des contrefaçons : un lot de MOSFET IRLR7843, et une diode Schottky MBR130.
Mes mesures montrent clairement qu'il s'agit d'une contrefaçon : la RDS(on) (résistance à l'état passant) est nettement plus élevée que celle d'un composant original.
| Échantillon | RDS(on) mesurée (à Id ≈ 25 mA) |
|---|---|
| Contrefaçon, Ug ≈ 2,3 V | 516 mΩ |
| Contrefaçon, Ug ≈ 3 V | 40,7 mΩ |
| Contrefaçon, Ug ≈ 4,5 V | 24,0 mΩ |
| Contrefaçon, Ug ≈ 7,3 V | 21,0 mΩ |
| Original (datasheet) | 3,3 mΩ max (Vgs = 10 V, Id = 15 A) |
Comparaison indicative : le point datasheet est pris à un courant et une tension de grille plus élevés que mon banc de mesure ne permet d'atteindre. La tendance reste sans appel : même à pleine grille, la contrefaçon plafonne loin au-dessus du spec original.
Même exercice avec une diode Schottky MBR130 : elle fonctionne bien en tant que diode, mais sa tension en sens passant (VF) est trop élevée par rapport à une diode originale. Je n'avais pas de MBR130 authentique sous la main, la référence ci-dessous vient donc d'une simulation plutôt que d'une mesure physique.
| Échantillon | VF (à If ≈ 4,7 mA) |
|---|---|
| Contrefaçon (AliExpress) | 0,421 V |
| Référence (simulation) | 0,153 V |
Se méfier des composants qu'on trouve sur AliExpress, et préférer l'achat de l'original chez un grossiste quand les spécifications comptent. Ça ne coûte rien de vérifier ses commandes « chinoises ».
La puissance dissipée dans un MOSFET passant suit P = RDS(on) × Id² :
Original (3 mΩ), à 5 A : P = 0,003 × 5² = 0,075 W Contrefaçon (20 mΩ), à 5 A : P = 0,020 × 5² = 0,5 WPresque 7 fois plus de pertes (425 mW de plus) pour un même courant. Sur un petit boîtier D-Pak sans dissipateur, c'est largement de quoi chauffer sérieusement, perdre en rendement, voire finir par lâcher.